现货HORIBA堀场等离子发射监测器EV2.0 STD 在半导体制造工艺中，等离子体技术被广泛应用于各种制造工艺中，包括薄膜沉积和蚀刻。 该等离子体发射监测仪可用于广泛的应用，从各种等离子体室的研发到生产线，例如工艺终点检测、状态管理和等离子体诊断。

进口HORIBA堀场EV2.0 HR等离子发射监测器 在半导体制造工艺中，等离子体技术被广泛应用于各种制造工艺中，包括薄膜沉积和蚀刻。 该等离子体发射监测仪可用于广泛的应用，从各种等离子体室的研发到生产线，例如工艺终点检测、状态管理和等离子体诊断。

原装HORIBA堀场等离子发射控制器RU-1000 使用反应溅射将触摸面板和玻璃基板的薄膜沉积在基材上。反应性溅射是在真空中使溅射粒子与氧或氮发生化学反应来成膜的方法，但定量供给反应气体的方法会减慢成膜速度，难以实用化。然而，已知存在一种不稳定的过渡模式，其中沉积速率在沉积速率快​​的反应模式和金属模式之间变化很大，并且可以通过基于等离子体控制反应气体来维持过渡区域排放强度。

北崎HORIBA堀场MU-3000多组分气体混合装置 根据生成的气体成分配备质量流量控制器，可以通过简单的操作生成混合气体。 我们的产品阵容涵盖从 2 种成分到最多 6 种成分的气体混合物。 控制软件具有程序操作功能、气体浓度设定功能等，是适合各种研究开发用途的气体发生系统。

日本供应HORIBA堀场气体混合装置MU-2200 混合气体发生器：MU系列配备高性能质量流量控制器，均匀混合生成两种或多种气体。操作面板上采用触摸屏，通过输入混合气体浓度和流量，生成任意浓度的混合气体。

原装现货HORIBA堀场IR-300气体浓度监测仪 用于鼓泡供应管线的在线气体浓度监测器。用于原料气体的稳定供应。 MOCVD（金属有机化学气相沉积）广泛应用于LED制造工艺和光学器件制造工艺中。该 MOCVD 设备采用液体/固体材料，通常使用鼓泡方法将其作为汽化气体输送到腔室。